Module IGBT FF200R12KT3 FF200R12KE3 FF200R12KT4

Module IGBT FF200R12KT3 FF200R12KE3 FF200R12KT4
https://2.bp.blogspot.com/-pDvS8uel0HQ/VtWZ3Qrx_RI/AAAAAAAAIrg/UOG1SK5EiJk/s72-c/file.jpg
1.2500.000 đ
(Số lượng: >=5 Giá : 0.000 đ)
- Hãng sản xuất : Chính Hãng 
Mã sản phẩm : Module IGBT FF200R12KT3 FF200R12KE3 FF200R12KT4
- Hình thức : 
- Tình trạng: Còn Hàng
- Thông số kỹ thuật:  Module IGBT FF200R12KT3 FF200R12KE3 FF200R12KT4
Sử dụng trong biến tần, Lò tôi cao tần, Máy hàn, và các thiết bị công nghiệp khác

TechnischeInformation/TechnicalInformation FF200R12KT3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 200 295 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 1050 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V VCE sat 1,70 1,90 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,90 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω td on 0,16 0,17 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω tr 0,04 0,045 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω td off 0,45 0,52 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω tf 0,10 0,16 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs RGon = 3,6 Ω Eon 10,0 15,0 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs RGoff = 3,6 Ω Eoff 16,5 25,0 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 800 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,12 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,03 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C

Bài viết liên quan:

Share this product :

Đăng nhận xét

 
Linh Kiện Máy Hàn
Add: Số 30 Ngách 33 Ngõ 298 Đường Ngọc Hồi – Thanh Trì – Hà Nội
HOTLINE: 0978666571
Website linhkien79.com
Mail: phamtinh.dt@gmail.com