SEMIX151GD128DS

SEMIX151GD128DS

https://1.bp.blogspot.com/-KXM5rfqYFis/VvvoRL8JVcI/AAAAAAAADuE/vc9tHjC4pIobI6pPHsikCmowpBYiw3QHw/s72-c/SEMiX101GD126HDs.jpg

2.500.000 đ

(Số lượng: >=5 Giá : 0.000 đ)
- Hãng sản xuất : Chính Hãng 
- Mã sản phẩm : SEMIX151GD128DS

- Hình thức : Mới
- Tình trạng: Còn Hàng
- Thông số kỹ thuật:  SEMiX101GD126HDs © by SEMIKRON Rev. 1 – 03.07.2013 1 SEMiX® 13 GD Trench IGBT Modules SEMiX101GD126HDs Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognised file no. E63532 Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Remarks • Case temperatur limited to TC=125°C max. • Not for new design Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj = 25 °C 1200 V IC Tj = 150 °C Tc = 25 °C 129 A Tc = 80 °C 91 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 2xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V tpsc VCC = 600 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V Tj = 125 °C 10 µs Tj -40 ... 150 °C Inverse diode IF Tj = 150 °C Tc = 25 °C 117 A Tc = 80 °C 81 A IFnom 75 A IFRM IFRM = 2xIFnom 150 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 600 A Tj -40 ... 150 °C Module It(RMS) Tterminal = 80 °C 600 A Tstg -40 ... 1

Bài viết liên quan: